公司主要产品涵盖数百种型号的MOSFET和IC芯片，均运用先进的300mm（12寸）和200mm（8寸）工艺技术精心制造，旨在为全球客户提供卓越性能的产品。我们不懈追求技术革新，以满足日益增长的市场需求。
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Channel
ESD Diode (Y/N)
BVDSS(V)
BVGS(V)
VTH(V)
IDS(A)@TA=25℃
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=
10V
4.5V
2.5V
Ciss
Package
规格书
RUTL31RP030C6
P
N
30
±12
-0.6--1.4
-4.1
31
37
60
SOT23-6
RUTM29RP030C6
P
N
30
±20
-1.0--2.0
-4.1
29
46.7
SOT23-6
RUTM36RP030C6
P
N
30
±20
-1.0--2.0
-3.3
36
57
SOT23-6
RUTL37RP030C6
P
N
30
±12
-0.6--1.4
-3.3
37
44
66
SOT23-6
RUSM1R2N030M
N
N
30
±20
1.10-2.2
120
1.15
1.8
DFN5060
RUSM1R8N030M
N
N
30
±20
1.0-2.2
150
1.75
3
DFN5060
RUSM3R5N030M
N
N
30
±20
1.0-2.50
80
3.5
5
PDFN3333
RUSM4R1N030M
N
N
30
±20
1.0-2.0
30
4.1
5.9
PDFN3333
RUSH4R1N30M
N
N
30
±20
2.4-3.6
30
4.1
PDFN3333
RUSM4R9N030M
N
N
30
±20
1.0-2.2
60
4.9
7.8
PDFN3333
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