公司主要产品涵盖数百种型号的MOSFET和IC芯片，均运用先进的300mm（12寸）和200mm（8寸）工艺技术精心制造，旨在为全球客户提供卓越性能的产品。我们不懈追求技术革新，以满足日益增长的市场需求。
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Channel
ESD Diode (Y/N)
BVDSS(V)
BVGS(V)
VTH(V)
IDS(A)@TA=25℃
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=
10V
4.5V
2.5V
Ciss
Package
规格书
RUTH6RN068M
N
N
68
±20
2.4-3.6
120
6
PDFN5060
RUTH6R8N068R
N
N
68
±20
2.3-3.6
80
6.8
TO-220C
RUSM14RN080M
N
N
80
±20
1.0-2.0
40
14
17
PDFN5060
RUSH15RN80M
N
N
80
±20
2.4-3.6
40
15
PDFN5060
RUTM180RN090C6
N
N
90
±20
1.1-2.2
2.5
180
200
SOT23-6
RUH90180S-R
N
N
90
±20
1.1-3.0
180
2.8
3.6
TO-263
RUSH1R1N100T
N
N
100
±20
2.4-3.6
400
1.1
TOLL
RUSM1R1N100T
N
N
100
±20
1.2-2.2
400
1.1
1.4
TOLL
RUSH1R5N100M
N
N
100
±20
2.3-3.7
320
1.5
PDFN5060
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