公司主要产品涵盖数百种型号的MOSFET和IC芯片，均运用先进的300mm（12寸）和200mm（8寸）工艺技术精心制造，旨在为全球客户提供卓越性能的产品。我们不懈追求技术革新，以满足日益增长的市场需求。
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Channel
ESD Diode (Y/N)
BVDSS(V)
BVGS(V)
VTH(V)
IDS(A)@TA=25℃
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=
10V
4.5V
2.5V
Ciss
Package
规格书
RUSH1RN060T
N
N
60
±20
2.0-4.0
350
1
TOLL
RUSH1R2N065T
N
N
65
±25
2.4-3.6
330
1.2
TOLL
RUSM1R8N65M
N
N
65
±20
1.2-2.4
200
1.8
2.5
PDFN5060
RUSH2RN65M
N
N
65
±20
2.4-3.6
200
2
PDFN5060
RUSM3R8N065M
N
N
65
±20
1.2-2.5
80
3.8
5
PDFN3333
RUSM8R5N065L
N
N
65
±20
1.0-2.0
60
8.5
11
TO-252
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