公司主要产品涵盖数百种型号的MOSFET和IC芯片，均运用先进的300mm（12寸）和200mm（8寸）工艺技术精心制造，旨在为全球客户提供卓越性能的产品。我们不懈追求技术革新，以满足日益增长的市场需求。
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Channel
ESD Diode (Y/N)
BVDSS(V)
BVGS(V)
VTH(V)
IDS(A)@TA=25℃
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=
10V
4.5V
2.5V
Ciss
Package
规格书
RUSM12R5N060M
N
N
60
±20
1.0-1.8
50
12.5
15.5
PDFN3333
RUSM14RN060M
N
N
60
±20
1.0-1.8
40
14
17.5
PDFN3333
RUTH3R4N060M
N
N
60
±20
2.4-3.6
150
3.4
PDFN5060
RUTH4R9N060M
N
N
60
±20
2.4-3.6
120
4.9
PDFN5060
RUTM4R5N060M
N
N
60
±20
1.2-2.4
120
4.5
6.5
PDFN5060
RUTH5R8N060R
N
N
60
±20
2.3-3.6
80
5.8
TO-220C
RUTM4R6N060M
N
N
60
±20
1.2-2.3
80
4.6
5.4
PDFN5060
RUTH7R5N060L
N
N
60
±20
2.4-3.6
58
7.5
TO-252
RUTM7RN060L
N
N
60
±20
1.2-2.3
58
7
8.5
TO-252
RUTH9R3N060L
N
N
60
±20
2.4-3.6
55
9.3
TO-252
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