公司主要产品涵盖数百种型号的MOSFET和IC芯片，均运用先进的300mm（12寸）和200mm（8寸）工艺技术精心制造，旨在为全球客户提供卓越性能的产品。我们不懈追求技术革新，以满足日益增长的市场需求。
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Channel
ESD Diode (Y/N)
BVDSS(V)
BVGS(V)
VTH(V)
IDS(A)@TA=25℃
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=
10V
4.5V
2.5V
Ciss
Package
规格书
RUQ60G03M3
N
N
30
±20
1.0-2.2
60
4.9
9
DFN3030
RUG500G03M-C
N
N
30
±20
1.0-2.5
500
0.5
0.85
PDFN5060
RUTM4R4N030M2
N
N
30
±20
1.0-3.0
40
4.2
6.7
PDFN3333
RUS30N159KCE
N
N
30
±12
0.5-1.5
5
30
35
SOT23E
RUTM29RN030CE
N
N
30
±12
1.0-2.2
6
29
45
SOT23E
RUTL24RN035C6
N
N
35
±12
0.5-1.3
5.5
24
26
33
SOT23-6
RUTM9RN038M3
N
N
38
±20
1.0-1.8
35
9
11.5
PDFN3030
RUTL28RN038H
N
N
38
±12
0.45-1.25
5
28
30.5
37
SOP-8
RUSHR8N040M
N
N
40
±20
2.3-3.6
320
0.78
PDFN5060
RUSMR7N040M
N
N
40
±20
1.1-2.4
320
0.65
PDFN5060
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