公司主要产品涵盖数百种型号的MOSFET和IC芯片，均运用先进的300mm（12寸）和200mm（8寸）工艺技术精心制造，旨在为全球客户提供卓越性能的产品。我们不懈追求技术革新，以满足日益增长的市场需求。
MORE +Part NO.
Channel
ESD Diode (Y/N)
BVDSS(V)
BVGS(V)
VTH(V)
IDS(A)@TA=25℃
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=
10V
4.5V
2.5V
Ciss
Package
规格书
RUTM230RN100C6
N
N
100
±20
1.1-2.2
2
230
240
SOT23-6
RUTM30RN100L
N
N
100
±20
1.2-2.3
25
30
32
TO-252
RUTM75RN100L
N
N
100
±20
1.2-2.4
15
75
82
TO-252
RUTM30RN100S
N
N
100
±20
1.2-2.3
25
30
32
TO-263
RUSH1R5N100T
N
N
100
±20
2.0-4.0
290
1.7
TOLL
RUSH1R1N105T
N
N
105
±20
2.4-3.6
400
1.1
TOLL
RUSM1R1N105T
N
N
105
±20
1.2-2.2
400
1.1
1.4
TOLL
RUTH4R5N105R
N
N
105
±20
2.0-4.0
130
4.5
TO-220C
RUSH1R6N110M
N
N
110
±20
2.5-4.1
256
1.6
PDFN5060
RUTM125RN120L
N
N
120
±20
1.2-2.4
8
125
130
TO-252
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