公司主要产品涵盖数百种型号的MOSFET和IC芯片，均运用先进的300mm（12寸）和200mm（8寸）工艺技术精心制造，旨在为全球客户提供卓越性能的产品。我们不懈追求技术革新，以满足日益增长的市场需求。
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Channel
ESD Diode (Y/N)
BVDSS(V)
BVGS(V)
VTH(V)
IDS(A)@TA=25℃
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=
10V
4.5V
2.5V
Ciss
Package
规格书
RUSM15RN100H
N
N
100
±20
1.0-2.0
27
15
18.5
SOP-8
RUSH16RN100M
N
N
100
±20
2.4-3.6
27
16
PDFN5060
RUSM92RN100M
N
N
100
±20
1.2-2.0
5
92
118
PDFN5060
RUSH96RN100M
N
N
100
±20
2.4-3.6
5
96
PDFN5060
RUTH9R9N100M
N
N
100
±20
2.4-3.6
75
9.9
PDFN5060
RUTM11RN100M
N
N
100
±20
1.2-2.3
75
11
12
PDFN5060
RUTH15RN100M
N
N
100
±25
2.4-3.6
59
15
PDFN5060
RUTM15RN100M
N
N
100
±20
1.2-2.4
59
15
16
PDFN5060
RUTH18RN100R
N
N
100
±20
2.30
40
18
TO-220C
RUTM18RN100L
N
N
100
±20
1.2-2.3
40
18
19
TO-252
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