公司主要产品涵盖数百种型号的MOSFET和IC芯片,均运用先进的300mm(12寸)和200mm(8寸)工艺技术精心制造,旨在为全球客户提供卓越性能的产品。我们不懈追求技术革新,以满足日益增长的市场需求。
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Channel
ESD Diode (Y/N)
BVDSS(V)
BVGS(V)
VTH(V)
IDS(A)@TA=25℃
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=
10V
4.5V
2.5V
Ciss
Package
规格书
RUTL42R5P020CE
P
N
-20
±10
-0.5--1.0
-4
42
57
SOT23E
RU17P6C
P
N
-17
±12
-0.4--1.10
-6
21
26
SOT23-3
RU17P12C
P
N
-17
±12
-0.4--1.10
-12
13
16
SOT23-3
RU17P6M4
P
N
-17
±12
-0.4--1.10
-6
19
24
DFN2020
RU17P12M4
P
N
-17
±12
-0.4--1.10
-12
13
16
DFN2020
RU16P4M4
P
N
-16
±12
-0.4--1.10
-4
70
100
DFN2020
RU16P8M4
P
N
-16
±12
-0.4--1.10
-8
40
65
DFN2020
