公司主要产品涵盖数百种型号的MOSFET和IC芯片，均运用先进的300mm（12寸）和200mm（8寸）工艺技术精心制造，旨在为全球客户提供卓越性能的产品。我们不懈追求技术革新，以满足日益增长的市场需求。
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Channel
ESD Diode (Y/N)
BVDSS(V)
BVGS(V)
VTH(V)
IDS(A)@TA=25℃
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=
10V
4.5V
2.5V
Ciss
Package
规格书
RUSH2R6N100M-C
N
N
100
±20
2.4-3.6
175
2.55
PDFN5060 Clip
RUSM2R4N100M-C
N
N
100
±20
1.0-2.0
175
2.35
2.85
PDFN5060 Clip
RUSH3RN100M
N
N
100
±20
2.4-3.6
175
3
PDFN5060
RUSM2R7N100M
N
N
100
±20
1.0-2.0
175
2.7
3.3
PDFN5060
RUSM3R6N100M
N
N
100
±20
1.4-2.6
160
3.6
5
PDFN5060
RUSH3R6N100M
N
N
100
±20
2.4-3.6
160
3.6
PDFN5060
RUSM4R5N100M
N
N
100
±20
1.2-2.5
115
4.5
5
PDFN5060
RUSH5RN100M
N
N
100
±20
2.4-3.6
115
5
PDFN5060
RUSM11RN100M
N
N
100
±20
1.2-2.4
60
11
14.5
PDFN5060
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