公司主要产品涵盖数百种型号的MOSFET和IC芯片，均运用先进的300mm（12寸）和200mm（8寸）工艺技术精心制造，旨在为全球客户提供卓越性能的产品。我们不懈追求技术革新，以满足日益增长的市场需求。
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Channel
ESD Diode (Y/N)
BVDSS(V)
BVGS(V)
VTH(V)
IDS(A)@TA=25℃
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=
10V
4.5V
2.5V
Ciss
Package
规格书
RUTM35RN040C6
N
N
40
±20
1.0-2.0
5
35
47
SOT23-6
RUTM40RN040C6
N
N
40
±20
1.0-2.0
3.5
40
57
SOT23-6
RUTL80RN040C6
N
N
40
±12
0.45-1.25
2.5
80
85
100
SOT23-6
RUTM5R3N040L
N
N
40
±20
1.0-2.5
70
5.3
7.7
TO-252
RUTM10R5N040M2
N
N
40
±20
1.0-2.0
35
10.5
13.5
PDFN3333
RUTM13RN044M3
N
N
44
±20
0.9-1.7
30
13
18
PDFN3030
RUTM14RN044M3
N
N
44
±20
0.9-1.7
30
14
16
PDFN3030
RUTM18RN044L
N
N
44
±20
1.0-1.8
9
18
23
TO-252
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