公司主要产品涵盖数百种型号的MOSFET和IC芯片，均运用先进的300mm（12寸）和200mm（8寸）工艺技术精心制造，旨在为全球客户提供卓越性能的产品。我们不懈追求技术革新，以满足日益增长的市场需求。
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Channel
ESD Diode (Y/N)
BVDSS(V)
BVGS(V)
VTH(V)
IDS(A)@TA=25℃
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=
10V
4.5V
2.5V
Ciss
Package
规格书
RU16P8M4
P
N
-16
±12
-0.4--1.10
-8
40
65
DFN2020
RU15P12C
P
N
-15
±12
-0.4--1.10
-12
16
25
SOT23-3
RUTL1R9N012L
N
N
12
±12
0.4-0.95
120
1.9
2.6
TO-252
RUTL4R4N012L
N
N
12
±12
0.4-1.0
20
4.4
6.2
TO-252
RUTL7R6N012L
N
N
12
±12
0.4-0.95
9
7.6
10
TO-252
RUTL10R5N012C6
N
N
12
±12
0.4-0.95
7
10.5
14
SOT23-6
RUTL11RN012C6
N
N
12
±12
0.4-1.0
7
11
14.5
SOT23-6
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