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HEFET® MOSFET系列(高效率MOSFET)产品采用了SPLIT GATE技术,全面提升了器件的开关特性和导通特性,拥有更小的结电容、更快的快关速度、更低的导通电阻,在快关速度要求的应用场合有着广泛的应用。
HEFET® MOSFET系列产品全面提升了产品的导通电阻温度特性,有效控制了器件导通电阻随温度增加而上升的幅度,结合先进的封装技术,HEFET® MOSFET系列产品技术致力于提升MOSFET器件在电能转换过程中的系统效率和功率密度,节省体积,同时确保在苛刻环境下开关过程中的抗冲击耐量,实现快速、平稳、高效的电源管理。
即将推出的产品包含从30V到150V一系列产品,TO-247、TO-220、TO-263、TO-252、DFN 5*6等多款封装形式。

Part_No Download Package Channel Config Vds ID(A) Rds(on)(typ)(mOhm) Vth(typ)(V) Vgs(±V) PD(W) Qg(typ)(nC) Qgd(typ)(nC) Product Status
10V 4.5V 2.5V 1.8V
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Part_No Download Package Channel Config Vds ID(A) Rds(on)(typ)(mOhm) Vth(typ)(V) Vgs(±V) PD(W) Qg(typ)(nC) Qgd(typ)(nC) Product Status
10V 4.5V 2.5V 1.8V
RU1H150R TO-220 N Single 108 150 3.5 - - - 2~4 20 288 117 37 Mass Production
RU1H150S TO-263 N Single 108 150 3.5 - - - 2~4 20 288 117 37 Sampling
RU4050R TO-220 N Single 40 50 3 - - - 2~4 20 - - - Engineering
RU55170R TO-220 N Single 55 170 2.5 - - - 2~4 20 176 - - Engineering
RU1H222R TO-220 N Single 108 220 2.7 - - - 2~4 20 333 - - Engineering
RU1H142R TO-220 N Single 108 140 3.6 - - - 2~4 20 273 - - Engineering
RU1H151R TO-220 N Single 108 150 4 - - - 2~4 20 288 - - Engineering
RU80121R TO-220 N Single 80 120 4.2 - - - 2~4 20 153 - - Engineering
RU1H120R TO-220 N Single 108 120 5 - - - 2~4 20 176 - - Engineering
RU12100R TO-220 N Single 125 100 7 - - - 2~4 20 176 - - Engineering

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联系电话: (86-0755) 8290-7976

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