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  • 功率 MOSFET 的寄生振荡和振铃

    功率 MOSFET 的寄生振荡和振铃1. 单管 MOSFET 的寄生振荡和振铃本节讨论了 MOSFET 在开关应用中的寄生振荡和振铃。栅极电压的振荡和振铃会导致发生误开关, 增大功率损耗并导致...[更多]

  • MOSFET管工作原理,就是这么简单 2018-01-03 汽车技术e站

    下图是典型平面N沟道增强型NMOSFET的剖面图。它用一块P型硅半导体材料作衬底,在其面上扩散了两个N型区,再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2)绝缘层,最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔,用金属化的...[更多]

  • 电源IC、MOSFET厂商密集调价,8寸硅晶圆缺货还在发酵?

    2018年1月4日国际电子商情国际电子商情最新消息,多家国内外原厂发布了自2018年1月1日起涨价的通知,主要集中在MOSFET、电源IC、LED驱动IC等产品,有的涨幅达到了15%-20%。国内厂商...[更多]

  • 如何提高隔离式电源的效率?这里有三个“秘方”

    “如何提高隔离式电源的效率?在大多数降压调节器的典型应用中,使用有源开关而非肖特基二极管是标准做法。这样能大大提高转换效率,尤其是产生低输出电压时。在需要电流隔离的应用中,也可使用同步整流来提高转换效...[更多]

  • MOS管驱动电路详解

    一、MOS管驱动电路综述在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀...[更多]

  • 开关MOS寄生二极管的各种用处

    MOSFET体二极管特性寄生二极管由来是由生产工艺造成的,大功率MOS管漏极从硅片底部引出,就会有这个寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构,漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源...[更多]

  • Cool-MOS的优势及存在的一些问题!

    对于Cool-MOS的简述对于常规VDMOS 器件结构, Rdson 与BV 这一对矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI 参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI 参杂浓度减小了,电...[更多]

  • 开关功率MOS扫盲帖

    在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也...[更多]

  • 原厂发布涨价通知,MOSFET上涨10%!(附各品牌MOSFET交货情况)

    近日,国内功率器件厂商无锡新洁能发布涨价通知:由于市场变化,硅外延材料片价格上涨,晶圆代工价格上涨,导致我司产品成本上涨。从2018年元旦起我司销售的所有产品热行2018年价格,具体以报价单为准。20...[更多]

  • 功率半导体IGBT/MOSFET/二极管及整流桥厂商和格局汇总

    功率半导体是大国重器,战略地位突出在半导体产业中,功率半导体产值在 180-200 亿美金。功率半导体是我国汽车工业、 高铁、空调洗衣机、电网输电等系统应用的上游核心零部件,战略地位突出。功率半导体产...[更多]

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