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锐骏半导体SGT-MOSFET应用技术分享

文章出处:Ruichips.com  时间:2017-09-04 09:55:33.0 [返回列表]


今天《2017 USB PD快充产业亚洲高峰论坛》在深圳南山科兴科学园隆重召开。作为参会企业之一锐骏半导体做了压轴演讲。锐骏黄总亲临现场,电源事业部技术总监黄璀先生向业界做了主题报告《MOSFET P-N结动态特性与各种电路拓扑的转换效率关联性研究》。作为一家专业耕耘在MOS领域多年的半导体公司,怎样领先在Cool MOS和SGT MOS技术上取得了突破,再建辉煌,锐意进取,越马腾飞。

 


























报告重点把真实的应用数据做了分享。详述了双向移动快充、同步整流、反激式电源DCMCCM模式下MOSSGT技术上的优势,及未来SGT技术的趋向性。

 

 

SGT技术上的突破:

结电荷区电荷小,温度低以及温度特性平缓

提高同步整流的稳定性,兼容DCMCCM模式,降低大大电流输出误导通的效率损失,对变压器漏感数值要求降低

在高频率工作条件下,有非常快的关断截止时间,降低上下桥的功率损失

 

 

针对PD快充MOS型号规格:




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